వాతావరణ పీడనం కింద సింటెర్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ యొక్క మెటీరియల్ నిర్మాణం మరియు లక్షణాలు

【 సారాంశ వివరణ 】 ఆధునిక C, N, B మరియు ఇతర నాన్-ఆక్సైడ్ హై-టెక్ రిఫ్రాక్టరీ ముడి పదార్థాలు, వాతావరణ పీడనం సిన్టర్డ్సిలికాన్ కార్బైడ్విస్తృతమైనది మరియు పొదుపుగా ఉంటుంది మరియు ఎమెరీ లేదా వక్రీభవన ఇసుక అని చెప్పవచ్చు. స్వచ్ఛమైనసిలికాన్ కార్బైడ్రంగులేని పారదర్శక క్రిస్టల్. కాబట్టి పదార్థం యొక్క నిర్మాణం మరియు లక్షణాలు ఏమిటిసిలికాన్ కార్బైడ్?

 

వాతావరణ పీడనం యొక్క మెటీరియల్ నిర్మాణం సిన్టర్డ్సిలికాన్ కార్బైడ్:

వాతావరణ పీడనం కమ్ముకుందిసిలికాన్ కార్బైడ్పరిశ్రమలో ఉపయోగించే మలినాలు రకం మరియు కంటెంట్ ప్రకారం లేత పసుపు, ఆకుపచ్చ, నీలం మరియు నలుపు, మరియు స్వచ్ఛత భిన్నంగా ఉంటుంది మరియు పారదర్శకత భిన్నంగా ఉంటుంది. సిలికాన్ కార్బైడ్ క్రిస్టల్ నిర్మాణం ఆరు పదాలు లేదా డైమండ్ ఆకారపు ప్లూటోనియం మరియు క్యూబిక్ ప్లూటోనియం-sic గా విభజించబడింది. స్ఫటిక నిర్మాణంలో కార్బన్ మరియు సిలికాన్ పరమాణువుల వేర్వేరు స్టాకింగ్ క్రమం కారణంగా ప్లూటోనియం-సిక్ అనేక రకాల వైకల్యాన్ని ఏర్పరుస్తుంది మరియు 70 కంటే ఎక్కువ రకాల వైకల్యాలు కనుగొనబడ్డాయి. బీటా-SIC 2100 కంటే ఎక్కువ ఆల్ఫా-SICగా మారుతుంది. సిలికాన్ కార్బైడ్ యొక్క పారిశ్రామిక ప్రక్రియ అధిక-నాణ్యత క్వార్ట్జ్ ఇసుక మరియు పెట్రోలియం కోక్‌తో రెసిస్టెన్స్ ఫర్నేస్‌తో శుద్ధి చేయబడుతుంది. శుద్ధి చేయబడిన సిలికాన్ కార్బైడ్ బ్లాక్‌లు చూర్ణం చేయబడతాయి, యాసిడ్-బేస్ క్లీనింగ్, మాగ్నెటిక్ సెపరేషన్, స్క్రీనింగ్ లేదా వాటర్ సెలెక్షన్ ద్వారా వివిధ రకాల కణ పరిమాణ ఉత్పత్తులను ఉత్పత్తి చేస్తాయి.

 

వాతావరణ పీడనం యొక్క మెటీరియల్ లక్షణాలుసింటెర్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్:

సిలికాన్ కార్బైడ్ మంచి రసాయన స్థిరత్వం, ఉష్ణ వాహకత, ఉష్ణ విస్తరణ గుణకం, దుస్తులు నిరోధకతను కలిగి ఉంటుంది, కాబట్టి రాపిడి ఉపయోగంతో పాటు, అనేక ఉపయోగాలు ఉన్నాయి: ఉదాహరణకు, సిలికాన్ కార్బైడ్ పౌడర్ టర్బైన్ ఇంపెల్లర్ లేదా సిలిండర్ బ్లాక్ లోపలి గోడపై పూత ఉంటుంది. ఒక ప్రత్యేక ప్రక్రియ, ఇది దుస్తులు నిరోధకతను మెరుగుపరుస్తుంది మరియు 1 నుండి 2 సార్లు జీవితాన్ని పొడిగించగలదు. వేడి-నిరోధకత, చిన్న పరిమాణం, తక్కువ బరువు, అధిక-గ్రేడ్ వక్రీభవన పదార్థాల అధిక బలం, శక్తి సామర్థ్యం చాలా మంచిది. తక్కువ-గ్రేడ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ (సుమారు 85% SiCతో సహా) ఉక్కు తయారీ వేగాన్ని పెంచడానికి మరియు ఉక్కు నాణ్యతను మెరుగుపరచడానికి రసాయన కూర్పును సులభంగా నియంత్రించడానికి ఒక అద్భుతమైన డీఆక్సిడైజర్. అదనంగా, సిలికాన్ కార్బన్ కడ్డీల విద్యుత్ భాగాల తయారీలో వాతావరణ పీడనం సిలికాన్ కార్బైడ్ కూడా విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది.

సిలికాన్ కార్బైడ్ చాలా కష్టం. మోర్స్ కాఠిన్యం 9.5, ప్రపంచంలోని హార్డ్ డైమండ్ (10) తర్వాత రెండవది, ఇది అద్భుతమైన ఉష్ణ వాహకతతో కూడిన సెమీకండక్టర్, అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద ఆక్సీకరణను నిరోధించగలదు. సిలికాన్ కార్బైడ్ కనీసం 70 స్ఫటికాకార రకాలను కలిగి ఉంటుంది. ప్లూటోనియం-సిలికాన్ కార్బైడ్ ఒక సాధారణ ఐసోమర్, ఇది 2000 కంటే ఎక్కువ ఉష్ణోగ్రతల వద్ద ఏర్పడుతుంది మరియు షట్కోణ స్ఫటికాకార నిర్మాణాన్ని కలిగి ఉంటుంది (వర్ట్‌జైట్ మాదిరిగానే). వాతావరణ పీడనం కింద సింటెర్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్

 

యొక్క అప్లికేషన్సిలికాన్ కార్బైడ్సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమలో

సిలికాన్ కార్బైడ్ సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమ గొలుసులో ప్రధానంగా సిలికాన్ కార్బైడ్ హై-ప్యూరిటీ పౌడర్, సింగిల్ క్రిస్టల్ సబ్‌స్ట్రేట్, ఎపిటాక్సియల్ షీట్, పవర్ కాంపోనెంట్స్, మాడ్యూల్ ప్యాకేజింగ్ మరియు టెర్మినల్ అప్లికేషన్‌లు ఉంటాయి.

1. సింగిల్ క్రిస్టల్ సబ్‌స్ట్రేట్ సింగిల్ క్రిస్టల్ సబ్‌స్ట్రేట్ అనేది సెమీకండక్టర్ సపోర్టింగ్ మెటీరియల్, కండక్టివ్ మెటీరియల్ మరియు ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ సబ్‌స్ట్రేట్. ప్రస్తుతం, SiC సింగిల్ క్రిస్టల్ వృద్ధి పద్ధతుల్లో భౌతిక ఆవిరి బదిలీ పద్ధతి (PVT పద్ధతి), ద్రవ దశ పద్ధతి (LPE పద్ధతి) మరియు అధిక ఉష్ణోగ్రత రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ పద్ధతి (HTCVD పద్ధతి) ఉన్నాయి. వాతావరణ పీడనం కింద సింటెర్డ్ సిలికాన్ కార్బైడ్

2. ఎపిటాక్సియల్ షీట్ సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సియల్ షీట్, సిలికాన్ కార్బైడ్ షీట్, సింగిల్ క్రిస్టల్ ఫిల్మ్ (ఎపిటాక్సియల్ లేయర్) సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్‌కు నిర్దిష్ట అవసరాలను కలిగి ఉన్న సబ్‌స్ట్రేట్ క్రిస్టల్‌తో సమానంగా ఉంటుంది. ప్రాక్టికల్ అప్లికేషన్‌లలో, వైడ్ బ్యాండ్ గ్యాప్ సెమీకండక్టర్ పరికరాలు దాదాపు అన్నీ ఎపిటాక్సియల్ లేయర్‌లో తయారు చేయబడతాయి మరియు సిలికాన్ చిప్ కూడా GaN ఎపిటాక్సియల్ లేయర్ యొక్క సబ్‌స్ట్రేట్‌తో సహా సబ్‌స్ట్రేట్‌గా మాత్రమే ఉపయోగించబడుతుంది.

3. హై-స్వచ్ఛత సిలికాన్ కార్బైడ్ పౌడర్ అనేది PVT పద్ధతి ద్వారా సిలికాన్ కార్బైడ్ సింగిల్ క్రిస్టల్‌ను వృద్ధి చేయడానికి ముడి పదార్థం, మరియు ఉత్పత్తి యొక్క స్వచ్ఛత నేరుగా సిలికాన్ కార్బైడ్ సింగిల్ క్రిస్టల్ యొక్క పెరుగుదల నాణ్యత మరియు విద్యుత్ లక్షణాలను ప్రభావితం చేస్తుంది.

4. పవర్ డివైస్ అనేది సిలికాన్ కార్బైడ్ పదార్థంతో తయారు చేయబడిన వైడ్-బ్యాండ్ పవర్, ఇది అధిక ఉష్ణోగ్రత, అధిక ఫ్రీక్వెన్సీ మరియు అధిక సామర్థ్యం యొక్క లక్షణాలను కలిగి ఉంటుంది. పరికరం యొక్క ఆపరేటింగ్ రూపం ప్రకారం, SiC విద్యుత్ సరఫరా పరికరం ప్రధానంగా పవర్ డయోడ్ మరియు పవర్ స్విచ్ ట్యూబ్‌ను కలిగి ఉంటుంది.

5. టెర్మినల్ మూడవ తరం సెమీకండక్టర్ అప్లికేషన్‌లలో, సిలికాన్ కార్బైడ్ సెమీకండక్టర్లు గాలియం నైట్రైడ్ సెమీకండక్టర్లకు అనుబంధంగా ఉండే ప్రయోజనాన్ని కలిగి ఉంటాయి. అధిక మార్పిడి సామర్థ్యం, ​​తక్కువ తాపన లక్షణాలు, తేలికైన మరియు SiC పరికరాల యొక్క ఇతర ప్రయోజనాల కారణంగా, దిగువ పరిశ్రమ యొక్క డిమాండ్ పెరుగుతూనే ఉంది మరియు SiO2 పరికరాలను భర్తీ చేసే ధోరణి ఉంది.