SiC సబ్‌స్ట్రేట్‌ల ప్రాసెసింగ్‌లో ప్రధాన దశలు ఏమిటి?

SiC సబ్‌స్ట్రేట్‌ల కోసం మేము ఎలా ఉత్పత్తి-ప్రాసెసింగ్ దశలు క్రింది విధంగా ఉన్నాయి:

1. క్రిస్టల్ ఓరియంటేషన్: క్రిస్టల్ కడ్డీని ఓరియంట్ చేయడానికి ఎక్స్-రే డిఫ్రాక్షన్‌ని ఉపయోగించడం. ఒక X- రే పుంజం కావలసిన క్రిస్టల్ ముఖం వద్ద దర్శకత్వం వహించినప్పుడు, విక్షేపం చేయబడిన పుంజం యొక్క కోణం క్రిస్టల్ విన్యాసాన్ని నిర్ణయిస్తుంది.

2. ఔటర్ డయామీటర్ గ్రైండింగ్: గ్రాఫైట్ క్రూసిబుల్స్‌లో పెరిగిన సింగిల్ స్ఫటికాలు తరచుగా ప్రామాణిక వ్యాసాలను మించి ఉంటాయి. బయటి వ్యాసం గ్రౌండింగ్ వాటిని ప్రామాణిక పరిమాణాలకు తగ్గిస్తుంది.

2

 

3.ఎండ్ ఫేస్ గ్రైండింగ్: 4-అంగుళాల 4H-SiC సబ్‌స్ట్రేట్‌లు సాధారణంగా రెండు పొజిషనింగ్ అంచులను కలిగి ఉంటాయి, ప్రైమరీ మరియు సెకండరీ. ఎండ్ ఫేస్ గ్రైండింగ్ ఈ పొజిషనింగ్ అంచులను తెరుస్తుంది.

4. వైర్ సావింగ్: 4H-SiC సబ్‌స్ట్రేట్‌లను ప్రాసెస్ చేయడంలో వైర్ సావింగ్ అనేది కీలకమైన దశ. వైర్ కత్తిరింపు సమయంలో ఏర్పడిన పగుళ్లు మరియు ఉప-ఉపరితల నష్టం తదుపరి ప్రక్రియలను ప్రతికూలంగా ప్రభావితం చేస్తుంది, ప్రాసెసింగ్ సమయాన్ని పొడిగిస్తుంది మరియు పదార్థ నష్టాన్ని కలిగిస్తుంది. అత్యంత సాధారణ పద్ధతి డైమండ్ రాపిడితో బహుళ-వైర్ కత్తిరింపు. 4H-SiC కడ్డీని కత్తిరించడానికి డైమండ్ అబ్రాసివ్‌లతో బంధించబడిన మెటల్ వైర్‌ల రెసిప్రొకేటింగ్ మోషన్ ఉపయోగించబడుతుంది.

5. చాంఫరింగ్: ఎడ్జ్ చిప్పింగ్‌ను నివారించడానికి మరియు తదుపరి ప్రక్రియల సమయంలో వినియోగించదగిన నష్టాలను తగ్గించడానికి, వైర్-సాన్ చిప్‌ల యొక్క పదునైన అంచులు పేర్కొన్న ఆకృతులకు చాంఫర్ చేయబడతాయి.

6. సన్నబడటం: వైర్ కత్తిరింపు అనేక గీతలు మరియు ఉప-ఉపరితల నష్టాలను వదిలివేస్తుంది. ఈ లోపాలను వీలైనంత వరకు తొలగించడానికి డైమండ్ వీల్స్ ఉపయోగించి సన్నబడటం జరుగుతుంది.

7. గ్రైండింగ్: ఈ ప్రక్రియలో చిన్న-పరిమాణ బోరాన్ కార్బైడ్ లేదా డైమండ్ అబ్రాసివ్‌లను ఉపయోగించి కఠినమైన గ్రౌండింగ్ మరియు మెత్తగా గ్రైండింగ్ చేయడంలో అవశేష నష్టాలు మరియు సన్నబడేటప్పుడు ప్రవేశపెట్టిన కొత్త నష్టాలను తొలగించడం జరుగుతుంది.

8. పాలిషింగ్: చివరి దశల్లో అల్యూమినా లేదా సిలికాన్ ఆక్సైడ్ అబ్రాసివ్‌లను ఉపయోగించి కఠినమైన పాలిషింగ్ మరియు ఫైన్ పాలిషింగ్ ఉంటాయి. పాలిషింగ్ లిక్విడ్ ఉపరితలాన్ని మృదువుగా చేస్తుంది, ఇది యాంత్రికంగా అబ్రాసివ్స్ ద్వారా తొలగించబడుతుంది. ఈ దశ మృదువైన మరియు పాడైపోని ఉపరితలాన్ని నిర్ధారిస్తుంది.

1

9. శుభ్రపరచడం: ప్రాసెసింగ్ దశల నుండి మిగిలిపోయిన కణాలు, లోహాలు, ఆక్సైడ్ ఫిల్మ్‌లు, సేంద్రీయ అవశేషాలు మరియు ఇతర కలుషితాలను తొలగించడం.


పోస్ట్ సమయం: మే-15-2024