సెమిసెరా యొక్క10x10mm నాన్‌పోలార్ M-ప్లేన్ అల్యూమినియం సబ్‌స్ట్రేట్అధునాతన ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ అప్లికేషన్‌ల యొక్క ఖచ్చితమైన అవసరాలను తీర్చడానికి నిశితంగా రూపొందించబడింది. ఈ సబ్‌స్ట్రేట్ నాన్‌పోలార్ M-ప్లేన్ ఓరియంటేషన్‌ను కలిగి ఉంది, ఇది LED లు మరియు లేజర్ డయోడ్‌ల వంటి పరికరాలలో ధ్రువణ ప్రభావాలను తగ్గించడంలో కీలకం, ఇది మెరుగైన పనితీరు మరియు సామర్థ్యానికి దారితీస్తుంది.
ది10x10mm నాన్‌పోలార్ M-ప్లేన్ అల్యూమినియం సబ్‌స్ట్రేట్అసాధారణమైన స్ఫటికాకార నాణ్యతతో రూపొందించబడింది, కనీస లోపం సాంద్రతలు మరియు ఉన్నతమైన నిర్మాణ సమగ్రతను నిర్ధారిస్తుంది. ఇది తదుపరి తరం ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ పరికరాల అభివృద్ధికి అవసరమైన అధిక-నాణ్యత III-నైట్రైడ్ ఫిల్మ్‌ల యొక్క ఎపిటాక్సియల్ పెరుగుదలకు ఆదర్శవంతమైన ఎంపికగా చేస్తుంది.
సెమిసెరా యొక్క ఖచ్చితమైన ఇంజనీరింగ్ ప్రతి ఒక్కటి నిర్ధారిస్తుంది10x10mm నాన్‌పోలార్ M-ప్లేన్ అల్యూమినియం సబ్‌స్ట్రేట్స్థిరమైన మందం మరియు ఉపరితల ఫ్లాట్‌నెస్‌ను అందిస్తుంది, ఇవి ఏకరీతి ఫిల్మ్ డిపాజిషన్ మరియు డివైస్ ఫ్యాబ్రికేషన్‌కు కీలకమైనవి. అదనంగా, సబ్‌స్ట్రేట్ యొక్క కాంపాక్ట్ పరిమాణం పరిశోధన మరియు ఉత్పాదక వాతావరణం రెండింటికీ అనుకూలంగా ఉంటుంది, వివిధ రకాల అప్లికేషన్‌లలో సౌకర్యవంతమైన ఉపయోగం కోసం అనుమతిస్తుంది. దాని అద్భుతమైన ఉష్ణ మరియు రసాయన స్థిరత్వంతో, ఈ ఉపరితలం అత్యాధునిక ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ టెక్నాలజీల అభివృద్ధికి నమ్మకమైన పునాదిని అందిస్తుంది.
| వస్తువులు | ఉత్పత్తి | పరిశోధన | డమ్మీ |
| క్రిస్టల్ పారామితులు | |||
| పాలీటైప్ | 4H | ||
| ఉపరితల ధోరణి లోపం | <11-20 >4±0.15° | ||
| ఎలక్ట్రికల్ పారామితులు | |||
| డోపాంట్ | n-రకం నైట్రోజన్ | ||
| రెసిస్టివిటీ | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| మెకానికల్ పారామితులు | |||
| వ్యాసం | 150.0 ± 0.2మి.మీ | ||
| మందం | 350 ± 25 μm | ||
| ప్రాథమిక ఫ్లాట్ ఓరియంటేషన్ | [1-100]±5° | ||
| ప్రాథమిక ఫ్లాట్ పొడవు | 47.5 ± 1.5 మి.మీ | ||
| సెకండరీ ఫ్లాట్ | ఏదీ లేదు | ||
| టిటివి | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| విల్లు | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| వార్ప్ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| ముందు (Si-ముఖం) కరుకుదనం (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| నిర్మాణం | |||
| మైక్రోపైప్ సాంద్రత | <1 EA/cm2 | <10 EA/cm2 | <15 EA/cm2 |
| మెటల్ మలినాలను | ≤5E10అణువులు/సెం2 | NA | |
| BPD | ≤1500 EA/cm2 | ≤3000 EA/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 EA/cm2 | ≤1000 EA/cm2 | NA |
| ముందు నాణ్యత | |||
| ముందు | Si | ||
| ఉపరితల ముగింపు | Si-ఫేస్ CMP | ||
| పార్టికల్స్ | ≤60ea/వేఫర్ (పరిమాణం≥0.3μm) | NA | |
| గీతలు | ≤5ea/mm. సంచిత పొడవు ≤వ్యాసం | సంచిత పొడవు≤2*వ్యాసం | NA |
| నారింజ తొక్క/గుంటలు/మచ్చలు/పొరలు/ పగుళ్లు/కాలుష్యం | ఏదీ లేదు | NA | |
| ఎడ్జ్ చిప్స్/ఇండెంట్‌లు/ఫ్రాక్చర్/హెక్స్ ప్లేట్లు | ఏదీ లేదు | ||
| పాలిటైప్ ప్రాంతాలు | ఏదీ లేదు | సంచిత ప్రాంతం≤20% | సంచిత ప్రాంతం≤30% |
| ముందు లేజర్ మార్కింగ్ | ఏదీ లేదు | ||
| వెనుక నాణ్యత | |||
| తిరిగి ముగింపు | సి-ఫేస్ CMP | ||
| గీతలు | ≤5ea/mm, క్యుములేటివ్ పొడవు≤2*వ్యాసం | NA | |
| వెనుక లోపాలు (ఎడ్జ్ చిప్స్/ఇండెంట్‌లు) | ఏదీ లేదు | ||
| వెనుక కరుకుదనం | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| వెనుకకు లేజర్ మార్కింగ్ | 1 మిమీ (ఎగువ అంచు నుండి) | ||
| అంచు | |||
| అంచు | చాంఫెర్ | ||
| ప్యాకేజింగ్ | |||
| ప్యాకేజింగ్ | వాక్యూమ్ ప్యాకేజింగ్‌తో ఎపి-సిద్ధంగా ఉంది బహుళ-వేఫర్ క్యాసెట్ ప్యాకేజింగ్ | ||
| *గమనికలు: "NA" అంటే ఏ అభ్యర్థన లేని అంశాలు పేర్కొనబడని అంశాలు SEMI-STDని సూచించవచ్చు. | |||
