సెమిసెరాఅందించడానికి ఉత్సాహంగా ఉంది2" గాలియం ఆక్సైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లు, అధునాతన సెమీకండక్టర్ పరికరాల పనితీరును మెరుగుపరచడానికి రూపొందించిన అత్యాధునిక పదార్థం. ఈ ఉపరితలాలు, గాలియం ఆక్సైడ్ (Ga2O3), అల్ట్రా-వైడ్ బ్యాండ్‌గ్యాప్‌ను కలిగి ఉంటుంది, వాటిని అధిక-పవర్, హై-ఫ్రీక్వెన్సీ మరియు UV ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ అప్లికేషన్‌లకు అనువైన ఎంపికగా చేస్తుంది.
ముఖ్య లక్షణాలు:
• అల్ట్రా-వైడ్ బ్యాండ్‌గ్యాప్: ది2" గాలియం ఆక్సైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లుసిలికాన్ వంటి సాంప్రదాయ సెమీకండక్టర్ పదార్థాల సామర్థ్యాలను మించి అధిక వోల్టేజ్ మరియు ఉష్ణోగ్రత ఆపరేషన్‌ను అనుమతించడం ద్వారా సుమారు 4.8 eV యొక్క అత్యుత్తమ బ్యాండ్‌గ్యాప్‌ను అందిస్తాయి.
•అసాధారణమైన బ్రేక్డౌన్ వోల్టేజ్: ఈ సబ్‌స్ట్రేట్‌లు పరికరాలను గణనీయంగా అధిక వోల్టేజ్‌లను నిర్వహించడానికి వీలు కల్పిస్తాయి, వాటిని పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్‌కు, ప్రత్యేకించి అధిక-వోల్టేజ్ అప్లికేషన్‌లలో పరిపూర్ణంగా చేస్తాయి.
•అద్భుతమైన ఉష్ణ వాహకత: ఉన్నతమైన ఉష్ణ స్థిరత్వంతో, ఈ సబ్‌స్ట్రెట్‌లు అధిక-శక్తి మరియు అధిక-ఉష్ణోగ్రత అనువర్తనాలకు అనువైన అత్యంత ఉష్ణ వాతావరణాలలో కూడా స్థిరమైన పనితీరును కలిగి ఉంటాయి.
•అధిక-నాణ్యత పదార్థం: ది2" గాలియం ఆక్సైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లుమీ సెమీకండక్టర్ పరికరాల విశ్వసనీయ మరియు సమర్థవంతమైన పనితీరును నిర్ధారిస్తూ, తక్కువ లోపాల సాంద్రతలు మరియు అధిక స్ఫటికాకార నాణ్యతను అందిస్తాయి.
•బహుముఖ అప్లికేషన్లు: ఈ సబ్‌స్ట్రేట్‌లు పవర్ ట్రాన్సిస్టర్‌లు, షాట్కీ డయోడ్‌లు మరియు UV-C LED పరికరాలతో సహా అనేక రకాల అప్లికేషన్‌లకు సరిపోతాయి, ఇవి పవర్ మరియు ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ ఆవిష్కరణలకు బలమైన పునాదిని అందిస్తాయి.
సెమిసెరాతో మీ సెమీకండక్టర్ పరికరాల పూర్తి సామర్థ్యాన్ని అన్‌లాక్ చేయండి2" గాలియం ఆక్సైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లు. మా సబ్‌స్ట్రేట్‌లు నేటి అధునాతన అప్లికేషన్‌ల డిమాండ్ అవసరాలను తీర్చడానికి, అధిక పనితీరు, విశ్వసనీయత మరియు సామర్థ్యాన్ని నిర్ధారించడానికి రూపొందించబడ్డాయి. ఆవిష్కరణలను నడిపించే అత్యాధునిక సెమీకండక్టర్ మెటీరియల్స్ కోసం సెమిసెరాను ఎంచుకోండి.
| వస్తువులు | ఉత్పత్తి | పరిశోధన | డమ్మీ |
| క్రిస్టల్ పారామితులు | |||
| పాలీటైప్ | 4H | ||
| ఉపరితల ధోరణి లోపం | <11-20 >4±0.15° | ||
| ఎలక్ట్రికల్ పారామితులు | |||
| డోపాంట్ | n-రకం నైట్రోజన్ | ||
| రెసిస్టివిటీ | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| మెకానికల్ పారామితులు | |||
| వ్యాసం | 150.0 ± 0.2మి.మీ | ||
| మందం | 350 ± 25 μm | ||
| ప్రాథమిక ఫ్లాట్ ఓరియంటేషన్ | [1-100]±5° | ||
| ప్రాథమిక ఫ్లాట్ పొడవు | 47.5 ± 1.5 మిమీ | ||
| సెకండరీ ఫ్లాట్ | ఏదీ లేదు | ||
| టిటివి | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| విల్లు | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| వార్ప్ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| ముందు (Si-ముఖం) కరుకుదనం (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| నిర్మాణం | |||
| మైక్రోపైప్ సాంద్రత | <1 EA/cm2 | <10 EA/cm2 | <15 EA/cm2 |
| మెటల్ మలినాలను | ≤5E10అణువులు/సెం2 | NA | |
| BPD | ≤1500 EA/cm2 | ≤3000 EA/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 EA/cm2 | ≤1000 EA/cm2 | NA |
| ముందు నాణ్యత | |||
| ముందు | Si | ||
| ఉపరితల ముగింపు | Si-ఫేస్ CMP | ||
| పార్టికల్స్ | ≤60ea/వేఫర్ (పరిమాణం≥0.3μm) | NA | |
| గీతలు | ≤5ea/mm. సంచిత పొడవు ≤వ్యాసం | సంచిత పొడవు≤2*వ్యాసం | NA |
| నారింజ తొక్క/గుంటలు/మచ్చలు/పొరలు/ పగుళ్లు/కాలుష్యం | ఏదీ లేదు | NA | |
| ఎడ్జ్ చిప్స్/ఇండెంట్‌లు/ఫ్రాక్చర్/హెక్స్ ప్లేట్లు | ఏదీ లేదు | ||
| పాలిటైప్ ప్రాంతాలు | ఏదీ లేదు | సంచిత ప్రాంతం≤20% | సంచిత ప్రాంతం≤30% |
| ముందు లేజర్ మార్కింగ్ | ఏదీ లేదు | ||
| వెనుక నాణ్యత | |||
| తిరిగి ముగింపు | సి-ఫేస్ CMP | ||
| గీతలు | ≤5ea/mm, క్యుములేటివ్ పొడవు≤2*వ్యాసం | NA | |
| వెనుక లోపాలు (ఎడ్జ్ చిప్స్/ఇండెంట్‌లు) | ఏదీ లేదు | ||
| వెనుక కరుకుదనం | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| వెనుకకు లేజర్ మార్కింగ్ | 1 మిమీ (ఎగువ అంచు నుండి) | ||
| అంచు | |||
| అంచు | చాంఫెర్ | ||
| ప్యాకేజింగ్ | |||
| ప్యాకేజింగ్ | వాక్యూమ్ ప్యాకేజింగ్‌తో ఎపి-సిద్ధంగా ఉంది బహుళ-వేఫర్ క్యాసెట్ ప్యాకేజింగ్ | ||
| *గమనికలు: "NA" అంటే ఏ అభ్యర్థన లేని అంశాలు పేర్కొనబడని అంశాలు SEMI-STDని సూచించవచ్చు. | |||
