బారెల్ ససెప్టర్ కోసం SiC కోటింగ్ బారెల్ స్ట్రక్చర్

సంక్షిప్త వివరణ:

సెమిసెరా వివిధ ఎపిటాక్సీ రియాక్టర్ల కోసం రూపొందించబడిన ససెప్టర్లు మరియు గ్రాఫైట్ భాగాల యొక్క సమగ్ర శ్రేణిని అందిస్తుంది.

పరిశ్రమ-ప్రముఖ OEMలు, విస్తృతమైన మెటీరియల్ నైపుణ్యం మరియు అధునాతన తయారీ సామర్థ్యాలతో వ్యూహాత్మక భాగస్వామ్యం ద్వారా, సెమిసెరా మీ అప్లికేషన్ యొక్క నిర్దిష్ట అవసరాలను తీర్చడానికి తగిన డిజైన్‌లను అందిస్తుంది. శ్రేష్ఠత పట్ల మా నిబద్ధత మీ ఎపిటాక్సీ రియాక్టర్ అవసరాలకు మీరు సరైన పరిష్కారాలను అందుకోవడానికి నిర్ధారిస్తుంది.

 


ఉత్పత్తి వివరాలు

ఉత్పత్తి ట్యాగ్‌లు

మా కంపెనీ అందిస్తుందిSiC పూతCVD పద్ధతి ద్వారా గ్రాఫైట్, సిరామిక్స్ మరియు ఇతర పదార్థాల ఉపరితలంపై సేవలను ప్రాసెస్ చేయండి, తద్వారా కార్బన్ మరియు సిలికాన్‌లను కలిగి ఉన్న ప్రత్యేక వాయువులు అధిక-స్వచ్ఛత Sic అణువులను పొందేందుకు అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద ప్రతిస్పందించగలవు, వీటిని పూతతో కూడిన పదార్థాల ఉపరితలంపై నిక్షిప్తం చేయవచ్చుSiC రక్షిత పొరఎపిటాక్సీ బారెల్ రకం hy pnotic కోసం.

 

ప్రధాన లక్షణాలు:

1 .అధిక స్వచ్ఛత SiC పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్

2. సుపీరియర్ హీట్ రెసిస్టెన్స్ & థర్మల్ ఏకరూపత

3. ఫైన్SiC క్రిస్టల్ పూతమృదువైన ఉపరితలం కోసం

4. రసాయన శుభ్రపరచడానికి వ్యతిరేకంగా అధిక మన్నిక

 
硅外延2-Si ఎపిటాక్సియల్ భాగాలు

 యొక్క ప్రధాన లక్షణాలుCVD-SIC పూత

SiC-CVD లక్షణాలు

క్రిస్టల్ నిర్మాణం FCC β దశ
సాంద్రత g/cm ³ 3.21
కాఠిన్యం వికర్స్ కాఠిన్యం 2500
ధాన్యం పరిమాణం μm 2~10
రసాయన స్వచ్ఛత % 99.99995
ఉష్ణ సామర్థ్యం J·kg-1 ·K-1 640
సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత 2700
Felexural బలం MPa (RT 4-పాయింట్) 415
యంగ్స్ మాడ్యులస్ Gpa (4pt బెండ్, 1300℃) 430
థర్మల్ విస్తరణ (CTE) 10-6K-1 4.5
ఉష్ణ వాహకత (W/mK) 300
2--cvd-sic-purity---99-99995-_60366
5----sic-క్రిస్టల్_242127
సెమిసెరా పని ప్రదేశం
సెమిసెరా పని ప్రదేశం 2
సామగ్రి యంత్రం
CNN ప్రాసెసింగ్, రసాయన శుభ్రపరచడం, CVD పూత
మా సేవ

  • మునుపటి:
  • తదుపరి: