1.గురించిసిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) ఎపిటాక్సియల్ పొరలు
సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) ఎపిటాక్సియల్ పొరలు సాధారణంగా రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (CVD) ద్వారా సిలికాన్ కార్బైడ్ సింగిల్ క్రిస్టల్ పొరను ఉపరితలంగా ఉపయోగించి పొరపై ఒకే క్రిస్టల్ పొరను జమ చేయడం ద్వారా ఏర్పడతాయి. వాటిలో, వాహక సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్‌పై సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సియల్ పొరను పెంచడం ద్వారా సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సియల్ తయారు చేయబడుతుంది మరియు అధిక-పనితీరు గల పరికరాలుగా రూపొందించబడింది.
2.సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్స్పెసిఫికేషన్లు
మేము 4, 6, 8 అంగుళాల N-రకం 4H-SiC ఎపిటాక్సియల్ పొరలను అందించగలము. ఎపిటాక్సియల్ పొర పెద్ద బ్యాండ్‌విడ్త్, అధిక సంతృప్త ఎలక్ట్రాన్ డ్రిఫ్ట్ స్పీడ్, హై స్పీడ్ టూ-డైమెన్షనల్ ఎలక్ట్రాన్ గ్యాస్ మరియు హై బ్రేక్‌డౌన్ ఫీల్డ్ స్ట్రెంత్‌ను కలిగి ఉంటుంది. ఈ లక్షణాలు పరికరాన్ని అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, అధిక వోల్టేజ్ నిరోధకత, వేగవంతమైన స్విచింగ్ వేగం, తక్కువ ఆన్-రెసిస్టెన్స్, చిన్న పరిమాణం మరియు తక్కువ బరువు కలిగి ఉంటాయి.
3. SiC ఎపిటాక్సియల్ అప్లికేషన్స్
SiC ఎపిటాక్సియల్ పొరప్రధానంగా షాట్కీ డయోడ్ (SBD), మెటల్ ఆక్సైడ్ సెమీకండక్టర్ ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్ (MOSFET) జంక్షన్ ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్ (JFET), బైపోలార్ జంక్షన్ ట్రాన్సిస్టర్ (BJT), థైరిస్టర్ (SCR), ఇన్సులేటెడ్ గేట్ బైపోలార్ ట్రాన్సిస్టర్ (IGBT)లో ఉపయోగించబడుతుంది. తక్కువ-వోల్టేజ్, మీడియం-వోల్టేజ్ మరియు అధిక-వోల్టేజ్ ఫీల్డ్‌లలో. ప్రస్తుతం,SiC ఎపిటాక్సియల్ పొరలుఅధిక-వోల్టేజ్ అప్లికేషన్లు ప్రపంచవ్యాప్తంగా పరిశోధన మరియు అభివృద్ధి దశలో ఉన్నాయి.
