సిలికాన్ కార్బైడ్ పూత తయారీ విధానం

ప్రస్తుతం, SiC పూత తయారీ పద్ధతుల్లో ప్రధానంగా జెల్-సోల్ పద్ధతి, ఎంబెడ్డింగ్ పద్ధతి, బ్రష్ కోటింగ్ పద్ధతి, ప్లాస్మా స్ప్రేయింగ్ పద్ధతి, రసాయన వాయువు ప్రతిచర్య పద్ధతి (CVR) మరియు రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ పద్ధతి (CVD) ఉన్నాయి.

పొందుపరిచే విధానం:

ఈ పద్ధతి ఒక రకమైన అధిక ఉష్ణోగ్రత ఘన దశ సింటరింగ్, ఇది ప్రధానంగా Si పౌడర్ మరియు C పౌడర్ మిశ్రమాన్ని ఎంబెడింగ్ పౌడర్‌గా ఉపయోగిస్తుంది, గ్రాఫైట్ మాతృకను ఎంబెడ్డింగ్ పౌడర్‌లో ఉంచుతారు మరియు అధిక ఉష్ణోగ్రత సింటరింగ్ జడ వాయువులో నిర్వహించబడుతుంది. , మరియు చివరకు SiC పూత గ్రాఫైట్ మాతృక ఉపరితలంపై పొందబడుతుంది.ప్రక్రియ చాలా సులభం మరియు పూత మరియు ఉపరితలం మధ్య కలయిక మంచిది, అయితే మందం దిశలో పూత యొక్క ఏకరూపత తక్కువగా ఉంటుంది, ఇది మరింత రంధ్రాలను ఉత్పత్తి చేయడం మరియు పేలవమైన ఆక్సీకరణ నిరోధకతకు దారితీయడం సులభం.

బ్రష్ పూత విధానం:

బ్రష్ పూత పద్ధతి ప్రధానంగా గ్రాఫైట్ మాతృక ఉపరితలంపై ద్రవ ముడి పదార్థాన్ని బ్రష్ చేయడం, ఆపై పూతను సిద్ధం చేయడానికి ఒక నిర్దిష్ట ఉష్ణోగ్రత వద్ద ముడి పదార్థాన్ని నయం చేయడం.ప్రక్రియ సులభం మరియు ఖర్చు తక్కువగా ఉంటుంది, అయితే బ్రష్ కోటింగ్ పద్ధతి ద్వారా తయారు చేయబడిన పూత ఉపరితలంతో కలిపి బలహీనంగా ఉంటుంది, పూత ఏకరూపత తక్కువగా ఉంటుంది, పూత సన్నగా ఉంటుంది మరియు ఆక్సీకరణ నిరోధకత తక్కువగా ఉంటుంది మరియు ఇతర పద్ధతులు సహాయపడతాయి. అది.

ప్లాస్మా స్ప్రేయింగ్ విధానం:

ప్లాస్మా స్ప్రేయింగ్ పద్ధతి ప్రధానంగా కరిగిన లేదా పాక్షికంగా కరిగించిన ముడి పదార్థాలను ప్లాస్మా తుపాకీతో గ్రాఫైట్ మాతృక ఉపరితలంపై పిచికారీ చేయడం, ఆపై పటిష్టం చేయడం మరియు పూత ఏర్పడేలా బంధించడం.ఈ పద్ధతి ఆపరేట్ చేయడం సులభం మరియు సాపేక్షంగా దట్టమైన సిలికాన్ కార్బైడ్ పూతను సిద్ధం చేయగలదు, అయితే ఈ పద్ధతి ద్వారా తయారు చేయబడిన సిలికాన్ కార్బైడ్ పూత తరచుగా చాలా బలహీనంగా ఉంటుంది మరియు బలహీనమైన ఆక్సీకరణ నిరోధకతకు దారితీస్తుంది, కాబట్టి దీనిని మెరుగుపరచడానికి SiC మిశ్రమ పూత తయారీకి సాధారణంగా ఉపయోగిస్తారు. పూత యొక్క నాణ్యత.

జెల్-సోల్ పద్ధతి:

జెల్-సోల్ పద్ధతి ప్రధానంగా మాతృక ఉపరితలంపై ఏకరీతి మరియు పారదర్శక సోల్ ద్రావణాన్ని సిద్ధం చేయడం, జెల్‌గా ఆరబెట్టడం మరియు పూతని పొందేందుకు సింటరింగ్ చేయడం.ఈ పద్ధతి ఆపరేట్ చేయడం సులభం మరియు తక్కువ ఖర్చుతో కూడుకున్నది, అయితే ఉత్పత్తి చేయబడిన పూత తక్కువ ఉష్ణ షాక్ నిరోధకత మరియు సులభంగా పగుళ్లు వంటి కొన్ని లోపాలను కలిగి ఉంటుంది, కాబట్టి దీనిని విస్తృతంగా ఉపయోగించలేరు.

కెమికల్ గ్యాస్ రియాక్షన్ (CVR):

అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద SiO ఆవిరిని ఉత్పత్తి చేయడానికి Si మరియు SiO2 పౌడర్‌ని ఉపయోగించడం ద్వారా CVR ప్రధానంగా SiC పూతను ఉత్పత్తి చేస్తుంది మరియు C మెటీరియల్ సబ్‌స్ట్రేట్ ఉపరితలంపై రసాయన ప్రతిచర్యల శ్రేణి ఏర్పడుతుంది.ఈ పద్ధతి ద్వారా తయారు చేయబడిన SiC పూత ఉపరితలానికి దగ్గరగా బంధించబడి ఉంటుంది, అయితే ప్రతిచర్య ఉష్ణోగ్రత ఎక్కువగా ఉంటుంది మరియు ఖర్చు ఎక్కువగా ఉంటుంది.

రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (CVD):

ప్రస్తుతం, ఉపరితల ఉపరితలంపై SiC పూతను సిద్ధం చేయడానికి CVD ప్రధాన సాంకేతికత.ప్రధాన ప్రక్రియ అనేది సబ్‌స్ట్రేట్ ఉపరితలంపై గ్యాస్ ఫేజ్ రియాక్టెంట్ పదార్థం యొక్క భౌతిక మరియు రసాయన ప్రతిచర్యల శ్రేణి, మరియు చివరకు SiC పూత ఉపరితల ఉపరితలంపై నిక్షేపణ ద్వారా తయారు చేయబడుతుంది.CVD సాంకేతికత ద్వారా తయారు చేయబడిన SiC పూత ఉపరితలం యొక్క ఉపరితలంతో సన్నిహితంగా బంధించబడి ఉంటుంది, ఇది ఉపరితల పదార్థం యొక్క ఆక్సీకరణ నిరోధకత మరియు అబ్లేటివ్ నిరోధకతను సమర్థవంతంగా మెరుగుపరుస్తుంది, అయితే ఈ పద్ధతి యొక్క నిక్షేపణ సమయం ఎక్కువ, మరియు ప్రతిచర్య వాయువు ఒక నిర్దిష్ట విషాన్ని కలిగి ఉంటుంది. వాయువు.