మా కంపెనీ అందిస్తుందిSiC పూతCVD పద్ధతి ద్వారా గ్రాఫైట్, సిరామిక్స్ మరియు ఇతర పదార్థాల ఉపరితలంపై సేవలను ప్రాసెస్ చేయండి, తద్వారా కార్బన్ మరియు సిలికాన్‌లను కలిగి ఉన్న ప్రత్యేక వాయువులు అధిక-స్వచ్ఛత Sic అణువులను పొందేందుకు అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద ప్రతిస్పందించగలవు, వీటిని పూతతో కూడిన పదార్థాల ఉపరితలంపై నిక్షిప్తం చేయవచ్చుSiC రక్షిత పొరఎపిటాక్సీ బారెల్ రకం hy pnotic కోసం.
ప్రధాన లక్షణాలు:
1 .అధిక స్వచ్ఛత SiC పూతతో కూడిన గ్రాఫైట్
2. సుపీరియర్ హీట్ రెసిస్టెన్స్ & థర్మల్ ఏకరూపత
3. ఫైన్SiC క్రిస్టల్ పూతమృదువైన ఉపరితలం కోసం
4. రసాయన శుభ్రపరచడానికి వ్యతిరేకంగా అధిక మన్నిక
యొక్క ప్రధాన లక్షణాలుCVD-SIC పూత
| SiC-CVD లక్షణాలు | ||
| క్రిస్టల్ నిర్మాణం | FCC β దశ | |
| సాంద్రత | g/cm ³ | 3.21 |
| కాఠిన్యం | వికర్స్ కాఠిన్యం | 2500 |
| ధాన్యం పరిమాణం | μm | 2~10 |
| రసాయన స్వచ్ఛత | % | 99.99995 |
| ఉష్ణ సామర్థ్యం | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత | ℃ | 2700 |
| Felexural బలం | MPa (RT 4-పాయింట్) | 415 |
| యంగ్స్ మాడ్యులస్ | Gpa (4pt బెండ్, 1300℃) | 430 |
| థర్మల్ విస్తరణ (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| ఉష్ణ వాహకత | (W/mK) | 300 |
