సెమిసెరా వివిధ భాగాలు మరియు క్యారియర్‌ల కోసం ప్రత్యేకమైన టాంటాలమ్ కార్బైడ్ (TaC) పూతలను అందిస్తుంది.సెమిసెరా లీడింగ్ కోటింగ్ ప్రక్రియ టాంటాలమ్ కార్బైడ్ (TaC) పూతలను అధిక స్వచ్ఛత, అధిక ఉష్ణోగ్రత స్థిరత్వం మరియు అధిక రసాయన సహనాన్ని సాధించేలా చేస్తుంది, SIC/GAN స్ఫటికాలు మరియు EPI లేయర్‌ల ఉత్పత్తి నాణ్యతను మెరుగుపరుస్తుంది (గ్రాఫైట్ పూత కలిగిన TaC ససెప్టర్), మరియు కీలకమైన రియాక్టర్ భాగాల జీవితాన్ని పొడిగించడం. టాంటాలమ్ కార్బైడ్ TaC పూత యొక్క ఉపయోగం అంచు సమస్యను పరిష్కరించడం మరియు క్రిస్టల్ పెరుగుదల నాణ్యతను మెరుగుపరచడం, మరియు సెమిసెరా టాంటాలమ్ కార్బైడ్ పూత సాంకేతికతను (CVD) పరిష్కరించి అంతర్జాతీయ అధునాతన స్థాయికి చేరుకుంది.
8-అంగుళాల సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) పొరల ఆగమనంతో, వివిధ సెమీకండక్టర్ ప్రక్రియల అవసరాలు మరింత కఠినంగా మారాయి, ప్రత్యేకించి ఉష్ణోగ్రతలు 2000 డిగ్రీల సెల్సియస్ కంటే ఎక్కువగా ఉండే ఎపిటాక్సీ ప్రక్రియలకు. సిలికాన్ కార్బైడ్‌తో పూసిన గ్రాఫైట్ వంటి సాంప్రదాయ ససెప్టర్ పదార్థాలు ఈ అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద ఉత్కృష్టంగా మారతాయి, ఇవి ఎపిటాక్సీ ప్రక్రియకు అంతరాయం కలిగిస్తాయి. అయినప్పటికీ, CVD టాంటాలమ్ కార్బైడ్ (TaC) ఈ సమస్యను సమర్థవంతంగా పరిష్కరిస్తుంది, 2300 డిగ్రీల సెల్సియస్ వరకు ఉష్ణోగ్రతలను తట్టుకుని సుదీర్ఘ సేవా జీవితాన్ని అందిస్తుంది. సెమిసెరాను సంప్రదించండి's టాంటాలమ్ కార్బైడ్ TaC CVD పూత అనుకూల భాగాలుమా అధునాతన పరిష్కారాల గురించి మరింత అన్వేషించడానికి.
TaC తో మరియు లేకుండా
TaC (కుడి) ఉపయోగించిన తర్వాత
అంతేకాకుండా, సెమిసెరా యొక్కTaC పూతతో కూడిన ఉత్పత్తులుతో పోలిస్తే సుదీర్ఘ సేవా జీవితాన్ని మరియు ఎక్కువ అధిక-ఉష్ణోగ్రత నిరోధకతను ప్రదర్శిస్తుందిSiC పూతలు.ప్రయోగశాల కొలతలు మా అని నిరూపించాయిTaC పూతలుఎక్కువ కాలం పాటు 2300 డిగ్రీల సెల్సియస్ వరకు ఉష్ణోగ్రత వద్ద స్థిరంగా పని చేయవచ్చు. మా నమూనాల యొక్క కొన్ని ఉదాహరణలు క్రింద ఉన్నాయి:
