సిలికాన్ కార్బైడ్ క్రిస్టల్ పెరుగుదలకు థర్మల్ ఫీల్డ్ మెటీరియల్ - పోరస్ టాంటాలమ్ కార్బైడ్

సెమిసెరా వివిధ భాగాలు మరియు క్యారియర్‌ల కోసం ప్రత్యేకమైన టాంటాలమ్ కార్బైడ్ (TaC) పూతలను అందిస్తుంది.సెమిసెరా లీడింగ్ కోటింగ్ ప్రక్రియ టాంటాలమ్ కార్బైడ్ (TaC) పూతలను అధిక స్వచ్ఛత, అధిక ఉష్ణోగ్రత స్థిరత్వం మరియు అధిక రసాయన సహనాన్ని సాధించేలా చేస్తుంది, SIC/GAN స్ఫటికాలు మరియు EPI లేయర్‌ల ఉత్పత్తి నాణ్యతను మెరుగుపరుస్తుంది (గ్రాఫైట్ పూత కలిగిన TaC ససెప్టర్), మరియు కీలకమైన రియాక్టర్ భాగాల జీవితాన్ని పొడిగించడం. టాంటాలమ్ కార్బైడ్ TaC పూత యొక్క ఉపయోగం అంచు సమస్యను పరిష్కరించడం మరియు క్రిస్టల్ పెరుగుదల నాణ్యతను మెరుగుపరచడం, మరియు సెమిసెరా టాంటాలమ్ కార్బైడ్ పూత సాంకేతికతను (CVD) పరిష్కరించి అంతర్జాతీయ అధునాతన స్థాయికి చేరుకుంది.

సంవత్సరాల అభివృద్ధి తర్వాత, సెమిసెరా సాంకేతికతను జయించిందిCVD TaCR&D శాఖ సంయుక్త ప్రయత్నాలతో. SiC పొరల పెరుగుదల ప్రక్రియలో లోపాలు సంభవించడం సులభం, కానీ ఉపయోగించిన తర్వాతTaC, వ్యత్యాసం ముఖ్యమైనది. క్రింద TaCతో మరియు లేకుండా పొరల పోలిక, అలాగే సింగిల్ క్రిస్టల్ పెరుగుదల కోసం సెమిసెరా భాగాలు