వివరణ
మా కంపెనీ అందిస్తుందిSiC పూతCVD పద్ధతి ద్వారా గ్రాఫైట్, సిరామిక్స్ మరియు ఇతర పదార్థాల ఉపరితలంపై సేవలను ప్రాసెస్ చేయండి, తద్వారా కార్బన్ మరియు సిలికాన్‌లను కలిగి ఉన్న ప్రత్యేక వాయువులు అధిక-స్వచ్ఛత Sic అణువులను పొందేందుకు అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద స్పందించగలవు, వీటిని పూతతో కూడిన పదార్థాల ఉపరితలంపై నిక్షిప్తం చేయవచ్చుSiC రక్షిత పొరఎపిటాక్సీ బారెల్ రకం hy pnotic కోసం.
ప్రధాన లక్షణాలు
1. అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత:
ఉష్ణోగ్రత 1600 C కంటే ఎక్కువగా ఉన్నప్పుడు ఆక్సీకరణ నిరోధకత చాలా బాగుంది.
2. అధిక స్వచ్ఛత : అధిక ఉష్ణోగ్రత క్లోరినేషన్ స్థితిలో రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ద్వారా తయారు చేయబడింది.
3. ఎరోషన్ నిరోధకత: అధిక కాఠిన్యం, కాంపాక్ట్ ఉపరితలం, చక్కటి కణాలు.
4. తుప్పు నిరోధకత: యాసిడ్, క్షార, ఉప్పు మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.
CVD-SIC కోటింగ్ యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు
| SiC-CVD లక్షణాలు | ||
| క్రిస్టల్ నిర్మాణం | FCC β దశ | |
| సాంద్రత | g/cm ³ | 3.21 |
| కాఠిన్యం | వికర్స్ కాఠిన్యం | 2500 |
| ధాన్యం పరిమాణం | μm | 2~10 |
| రసాయన స్వచ్ఛత | % | 99.99995 |
| ఉష్ణ సామర్థ్యం | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత | ℃ | 2700 |
| Felexural బలం | MPa (RT 4-పాయింట్) | 415 |
| యంగ్స్ మాడ్యులస్ | Gpa (4pt బెండ్, 1300℃) | 430 |
| థర్మల్ విస్తరణ (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| ఉష్ణ వాహకత | (W/mK) | 300 |
