సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) సింగిల్ క్రిస్టల్ మెటీరియల్ పెద్ద బ్యాండ్ గ్యాప్ వెడల్పు (~Si 3 రెట్లు), అధిక ఉష్ణ వాహకత (~Si 3.3 రెట్లు లేదా GaAs 10 రెట్లు), అధిక ఎలక్ట్రాన్ సంతృప్త మైగ్రేషన్ రేటు (~Si 2.5 రెట్లు), అధిక బ్రేక్‌డౌన్ ఎలక్ట్రిక్ ఫీల్డ్ (~Si 10 సార్లు లేదా GaAs 5 సార్లు) మరియు ఇతర అత్యుత్తమ లక్షణాలు.
అధిక ఉష్ణోగ్రత, అధిక పీడనం, అధిక పౌనఃపున్యం, అధిక శక్తి ఎలక్ట్రానిక్ పరికరాలు మరియు ఏరోస్పేస్, మిలిటరీ, న్యూక్లియర్ ఎనర్జీ వంటి విపరీతమైన పర్యావరణ అనువర్తనాల రంగంలో SiC పరికరాలకు పూడ్చలేని ప్రయోజనాలు ఉన్నాయి, ఆచరణాత్మకంగా సాంప్రదాయ సెమీకండక్టర్ మెటీరియల్ పరికరాల లోపాలను భర్తీ చేస్తాయి. అప్లికేషన్లు, మరియు క్రమంగా పవర్ సెమీకండక్టర్స్ యొక్క ప్రధాన స్రవంతిగా మారుతున్నాయి.
4H-SiC సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్ స్పెసిఫికేషన్‌లు
| అంశం 项目 | స్పెసిఫికేషన్స్ 参数 | |
| పాలీటైప్ | 4H -SiC | 6H- SiC |
| వ్యాసం | 2 అంగుళాల |3 అంగుళాల |4 అంగుళాల |6 అంగుళాలు | 2 అంగుళాల |3 అంగుళాల |4 అంగుళాల |6 అంగుళాలు |
| మందం | 330 μm ~ 350 μm | 330 μm ~ 350 μm |
| వాహకత | N – రకం / సెమీ-ఇన్సులేటింగ్ | N – రకం / సెమీ-ఇన్సులేటింగ్ |
| డోపాంట్ | N2 (నత్రజని)V (వనాడియం) | N2 ( నైట్రోజన్ ) V ( వెనాడియం ) |
| ఓరియంటేషన్ | అక్షం <0001>లో | అక్షం <0001>లో |
| రెసిస్టివిటీ | 0.015 ~ 0.03 ఓం-సెం | 0.02 ~ 0.1 ఓం-సెం |
| మైక్రోపైప్ డెన్సిటీ(MPD) | ≤10/సెం2 ~ ≤1/సెం2 | ≤10/సెం2 ~ ≤1/సెం2 |
| టిటివి | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm |
| విల్లు / వార్ప్ | ≤25 μm | ≤25 μm |
| ఉపరితల | DSP/SSP | DSP/SSP |
| గ్రేడ్ | ఉత్పత్తి / పరిశోధన గ్రేడ్ | ఉత్పత్తి / పరిశోధన గ్రేడ్ |
| క్రిస్టల్ స్టాకింగ్ సీక్వెన్స్ | ABCB | ABCABC |
| లాటిస్ పరామితి | a=3.076A , c=10.053A | a=3.073A, c=15.117A |
| ఉదా/eV(బ్యాండ్-గ్యాప్) | 3.27 eV | 3.02 eV |
| ε(విద్యుద్వాహక స్థిరాంకం) | 9.6 | 9.66 |
| వక్రీభవన సూచిక | n0 =2.719 ne =2.777 | n0 =2.707 , ne =2.755 |
6H-SiC సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్ స్పెసిఫికేషన్‌లు
| అంశం 项目 | స్పెసిఫికేషన్స్ 参数 |
| పాలీటైప్ | 6H-SiC |
| వ్యాసం | 4 అంగుళాల |6 అంగుళాలు |
| మందం | 350μm ~ 450μm |
| వాహకత | N – రకం / సెమీ-ఇన్సులేటింగ్ |
| డోపాంట్ | N2(నత్రజని) |
| ఓరియంటేషన్ | <0001> తగ్గింపు 4°± 0.5° |
| రెసిస్టివిటీ | 0.02 ~ 0.1 ఓం-సెం |
| మైక్రోపైప్ డెన్సిటీ(MPD) | ≤ 10/సెం.2 |
| టిటివి | ≤ 15 μm |
| విల్లు / వార్ప్ | ≤25 μm |
| ఉపరితల | Si ముఖం: CMP, ఎపి-రెడీ |
| గ్రేడ్ | పరిశోధన గ్రేడ్ |
