సిలికాన్ థర్మల్ ఆక్సైడ్ పొర

చిట్కాలు: ఆక్సీకరణ రకం

1. పొడి ఆక్సీకరణ

సిలికాన్ ఆక్సిజన్‌తో చర్య జరుపుతుంది మరియు ఆక్సైడ్ పొర బేసల్ పొర వైపు కదులుతుంది.పొడి ఆక్సీకరణను 850 నుండి 1200 ° C ఉష్ణోగ్రత వద్ద నిర్వహించాల్సిన అవసరం ఉంది మరియు వృద్ధి రేటు తక్కువగా ఉంటుంది, ఇది MOS ఇన్సులేషన్ గేట్ పెరుగుదలకు ఉపయోగించబడుతుంది.అధిక నాణ్యత, అల్ట్రా-సన్నని సిలికాన్ ఆక్సైడ్ పొర అవసరమైనప్పుడు, తడి ఆక్సీకరణ కంటే పొడి ఆక్సీకరణకు ప్రాధాన్యత ఇవ్వబడుతుంది.

పొడి ఆక్సీకరణ సామర్థ్యం: 15nm~300nm(150A ~ 3000A)

2. వెట్ ఆక్సీకరణ

ఈ పద్ధతి హైడ్రోజన్ మరియు అధిక స్వచ్ఛత ఆక్సిజన్ మిశ్రమాన్ని ~1000 ° C వద్ద కాల్చడానికి ఉపయోగిస్తుంది, తద్వారా నీటి ఆవిరిని ఉత్పత్తి చేసి ఆక్సైడ్ పొరను ఏర్పరుస్తుంది.తడి ఆక్సీకరణ అధిక నాణ్యత కలిగిన ఆక్సీకరణ పొరను పొడి ఆక్సీకరణ వలె ఉత్పత్తి చేయలేకపోయినప్పటికీ, ఐసోలేషన్ జోన్‌గా ఉపయోగించడానికి సరిపోతుంది, పొడి ఆక్సీకరణతో పోలిస్తే ఇది అధిక వృద్ధి రేటును కలిగి ఉండటం వల్ల స్పష్టమైన ప్రయోజనం ఉంటుంది.

తడి ఆక్సీకరణ సామర్థ్యం: 50nm~ 15µm (500A ~15µm)

3. పొడి పద్ధతి - తడి పద్ధతి - పొడి పద్ధతి

ఈ పద్ధతిలో, స్వచ్ఛమైన పొడి ఆక్సిజన్ ప్రారంభ దశలో ఆక్సీకరణ కొలిమిలోకి విడుదల చేయబడుతుంది, ఆక్సీకరణ మధ్యలో హైడ్రోజన్ జోడించబడుతుంది మరియు దాని కంటే దట్టమైన ఆక్సీకరణ నిర్మాణాన్ని రూపొందించడానికి స్వచ్ఛమైన పొడి ఆక్సిజన్‌తో ఆక్సీకరణను కొనసాగించడానికి హైడ్రోజన్ చివరిలో నిల్వ చేయబడుతుంది. నీటి ఆవిరి రూపంలో సాధారణ తడి ఆక్సీకరణ ప్రక్రియ.

4. TEOS ఆక్సీకరణ